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2023-06-14 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

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一种半导体装置的形成方法，包括提供一结构，此结构包括一基底、一栅极结构、一栅极间隔物、一介电栅极帽盖、一源极/漏极部件、一接触蚀刻停止层覆盖栅极间隔物的侧壁以及源极/漏极部件的一顶面、以及一层间介电层。此方法还包括蚀刻一接触孔穿过层间介电层以及穿过位于源极/漏极部件上的接触蚀刻停止层的一部分，其中接触孔是露出覆盖栅极间隔物的侧壁的接触蚀刻停止层，且露出源极/漏极部件的一顶部。此方法包括在源极/漏极部件上形成一硅化物部件，以及在硅化物部件上选择性沉积一抑制件。除了在接触蚀刻停止层和硅化物部件相会的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130398 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110136206.7 H01L 27/088 (2006.01)

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