包含替代埋入式源极线的三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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包含替代埋入式源极线的三维存储器器件及其制造方法.pdf

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绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠形成在覆盖衬底的源极层级牺牲层上方。间隔物材料层形成为导电层，或者随后被该导电层替换。包括相应竖直半导体沟道和相应存储器膜的存储器堆叠结构通过交替堆叠形成。通过移除源极层级牺牲层来形成源极层级腔体。半导体柱结构可用于在源极层级腔体的形成期间向交替堆叠提供机械支撑。源极层级半导体材料层可形成在源极层级腔体中。源极层级半导体材料层邻接竖直半导体沟道的底端部分并且横向地围绕半导体柱结构。源极层级半导体材料层可以通过具有相反极性的两个p‑n结的串联连接与衬底中的衬底半导体材

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169186 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980079158.3 (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理

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