华中师范大学《模拟电子技术》期末考试复习集.docx

华中师范大学《模拟电子技术》期末考试复习集 PAGE 单选题： 题目：本征半导体中的自由电子浓度( )空穴浓度 大于 小于 等于 参考选项：C 题目：纯净的、不含其他杂质的半导体称为( )。 本征半导体 杂质半导体 电子型半导体 空穴型半导体 参考选项：A 题目：PN结加正向电压时,空间电荷区将( )。 变窄 基本不变 变宽 参考选项：A 题目：半导体PN结在外加反向电压时,对其电流的形成无影响的是( ) 多子 温度 少子 漂移运动 参考选项：A 题目：变容二极管在电路中使用时,其PN结是( )。 正向运用 反向运用 不确定 参考选项：B 题目：NPN三极管的输出特性曲线,一般将IB≤0的区域称为( ),三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态。 截止区 放大区 饱和区 参考选项：A 题目：UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有( )。 结型管 增强型MOS管 耗尽型MOS管 参考选项：B 题目：测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( ) 输入电压幅值不变，改变频率 输入电压频率不变，改变幅值 输入电压的幅值与频率同时变化 参考选项：A 题目：用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re,将使电路的( ) 差模放大倍数数值增大 抑制共模信号能力增强 差模输入电阻增大 参考选项：B 题目：为了减小放大电路的输出电阻,应引入( )负反馈。 电压 电流 串联 并联 参考选项：A 题目：当PN结( )时,回路中产生一个较大的正向电流,PN结处于( )状态;当PN结( )时,回路中的反向电流非常小,几乎等于零,PN结处于( )状态。 正向偏置截止反向偏置导通 正向偏置导通反向偏置截止 反向偏置截止正向偏置导通 反向偏置导通正向偏置截止 参考选项：B 题目：当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。 前者反偏、后者也反偏 前者正偏、后者反偏 前者正偏、后者也正偏 参考选项：B 题目：典型差放的RE对( )有抑制作用 差模信号 共模信号 差模和共模性信号都 差模和共模信号都没 参考选项：B 题目：共模信号是指大小相等,极性( )的信号。 相同 相反 参考选项：A 题目：改变输入电阻和输出电阻,应引入( )。 直流负反馈 交流负反馈 正反馈 参考选项：B 题目：当负载变化时,要使输出电流稳定不变,并可提高输入电阻,应引入( )负反馈 电压并联 电流并联 电压串联 电流串联 参考选项：D 题目：电子电路中常用的半导体器件有( )。 二极管 稳压管 双极型三极管 其他选项都选 参考选项：D 题目：差模信号是指大小相等,极性( )的信号。 相同 相反 参考选项：B 题目：在固定式偏置电路中,若偏置电阻RB的值增大了,则静态工作点Q将( )。 上移 下移 不动 上下来回移动 参考选项：B 题目：在深度负反馈时,放大器的放大倍数( ) 仅与基本放大器有关 仅与反馈网络有关 与二者密切相关 与二者均无关 参考选项：B 题目：在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ),则说明引入的反馈是负反馈。 输入电阻增大 输出量增大 净输入量增大 净输入量减小 参考选项：D 题目：在非线性失真中,饱和失真也称为( ). 顶部失真 底部失真 双向失真 参考选项：B 题目：杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( )。 N型半导体 P型半导体 电子型半导体 参考选项：B 题目：在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体。 五价 四价 三价 参考选项：A 题目：一三极管三个极的对地电位分别是-6V,-3V,-3.2V,则该管是( ) PNP硅管 NPN锗管 NPN硅管 PNP锗管 参考选项：D 题目：在( )三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,输出特性曲线比较平坦,近似为水平的直线。 截止区 放大区 饱和区 参考选项：B 题目：二极管加正向电压时,其正向是由( )。 多数载流子扩散形成 多数载流子漂移形成 少数载流子漂移形成 参考选项：A 题目：使用稳压管组成稳压电路时,应使外加电源的正极接管子的( ),电源的负极接( ),以保证稳压管工作在反向击穿区,稳压管应与负载电阻( ),由于稳压管两端电压变化量很小,使输出电压比较稳定。 N区P区串联 N区P区并联 P区N区串联 P区N区并联 参考选项：B 题目：稳压二极管是利用PN结的( )。 单向导电性 反向击穿性 电容特性 参考选项：B 题目：能很好的克服零点漂移的电路是( ) 固定偏置式电路 功放电路 差放电路 积分电路 参考选