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本发明提供解决光刻机像面畸变的工艺方法及装置、掩膜版设计方法。所述工艺方法在选取实际使用视场范围后,根据分布在实际使用视场范围的边界区域的测试图形的套刻偏移获得像面畸变曲线,然后基于所述像面畸变曲线调整所述掩膜图案的成像范围,进而根据所述掩膜图案调整后的成像范围,相应地调整所述掩膜图案。由于调整后的掩膜图案对像面畸变作了补偿,利用调整后的掩膜图案进行曝光获得的像面图形更接近于无像面畸变下的像面图形布局,有助于提高曝光质量以及拼接精度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113126443 B
(45)授权公告日 2021.12.10
(21)申请号 201911423855.4 G03F 1/68 (2012.01)
(22)申请日 2
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