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2023-06-14 发布于四川
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本发明涉及一种半导体器件，包括：第一沟道层，其包括第一沟道区、第一栅掺杂区、和第二沟道区，其中所述第二沟道区在所述第一沟道区之上，所述第一栅掺杂区在所述第一沟道区和所述第二沟道区之间；第一势垒层，其中在第一沟道层与第一势垒层之间形成具有垂直界面的第一异质结，在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG；第一电极，其在所述第一栅掺杂区下方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；第二电极，其在所述第一栅掺杂区上方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；以及第三电极，其在所述第一栅掺杂区

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140628 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202010824843.9 (22)申请日 2020.08.17 (66)本国优先权数

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