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存储装置及其制造方法.pdfVIP

存储装置及其制造方法.pdf

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    本发明提供一种存储装置及其制造方法。此存储装置包括一半导体基底，其中半导体基底包含一沟槽隔离结构以及一主动区位于沟槽隔离结构的一侧。存储装置还包括两相邻的埋入式字线以及第一介电层，其中埋入式字线设置于半导体基底内且相互分离，第一介电层位于半导体基底上并对应两相邻的埋入式字线的上方。存储装置还包括一接触插塞，位于主动区的半导体基底上。接触插塞包含一导体层以及一外延层，其中导体层位于第一介电层的侧壁上，外延层位于导体层的侧壁上并延伸进入半导体基底。存储装置还包括一第二介电层，位于半导体基底上并覆盖接

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130491 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20201

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