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金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法.pdfVIP

金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法.pdf

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    本发明公开一种金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法。金属氧化物半导体场效晶体管包含基材结构、多个掺杂区域、多个沟槽氧化层、多个半导体层结构、介电质层结构及金属结构。基材结构包含基底层及磊晶层。磊晶层具有多个沟槽。每个沟槽的沟槽深度为X1微米。多个掺杂区域分别形成于多个沟槽的底部。多个沟槽氧化层分别形成于多个沟槽的内壁。每个沟槽氧化层的氧化层厚度为X2微米。X1与X2符合以下关系式：0.05X1≤X2≤0.25X1。多个半导体层结构分别形成于多个沟槽中，以形成多个沟渠式结构。介电质层结构形成于多

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130652 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20201

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