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2023-06-14 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供第一介质层；于第一介质层内形成窗口；于窗口的内表面和第一介质层的上表面形成第二介质层；去除边角处的第二介质层；于窗口的内表面及保留的第二介质层表面形成第一阻挡层；于窗口内形成导电结构。上述半导体器件的制备方法中去除边角处的第二介质层，使得形成的第一阻挡层厚度均匀，不容易出现缺陷，能够更好的避免导电结构的材料扩散到第一介质层中，于窗口的内表面和第一介质层的上表面形成第二介质层，能更好的避免导电结构出现漏电，提高器件的质量，提高产品

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113130382 B (45)授权公告日 2022.03.08 (21)申请号 202010046681.0 (56)对比文件 (22)申请日 2020.01.16

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