一种低电容高压放电管及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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本发明公开一种低电容高压放电管，N型硅片两面设有N+隔离区，N型硅片两面设有P‑BASE区，N型硅片和P‑BASE区上有P++区，P‑BASE区上方P++区和N+隔离区之间有P‑BASE区中N+区，N型硅片两面两边上设有玻璃钝化层，并在玻璃钝化层上湿法腐蚀出沟槽，N型硅片上的P‑BASE区上沉淀有金属层，金属层两侧的P‑BASE区设有氧化层和LTO层。步骤：1）选择N型硅片；2）氧化；3）N+隔离区；4）形成P++肼区；5）形成P‑BASE区；6）进行P‑BASE区中N+区光刻；7）台面光刻，腐

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113161427 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202011370830.5 (22)申请日 2020.11.30 (71)申请人江苏吉

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