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本发明涉及一种PVT法气流导向的碳化硅单晶生长装置及使用方法。包括粘接石墨籽晶托、籽晶、坩埚上、石墨连接环、坩埚下、外壳箱体、上测温杆和下测温杆，石墨连接环的材质是与坩埚上和坩埚下材质不同的多孔石墨材料，孔径为1‑100μm，孔隙率和孔径均与坩埚上和坩埚下有差异。步骤包括：装炉、升温、抽真空、冲惰性气体、升温保压、降压、降温。本发明使反应系统内的气体利用石墨的孔隙差异在指定位置溢出，通过反应气体在籽晶表面和边缘的滞留时间和流向的控制，以及坩埚内外气体压力差的控制来达到生长高质量，尤其是可以抑制边
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113136622 A
(43)申请公布日 2021.07.20
(21)申请号 202110437585.3
(22)申请日 2021.04.22
(71)申请人 中国电子科技集团公司第四十六研
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