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霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造霍尔集成电路的对应方法.pdfVIP

霍尔集成电路以及使用晶片堆叠制造霍尔集成电路的对应方法.pdf

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    一种包括竖直霍尔元件(100)的霍尔集成电路，具有在竖直方向上堆叠的第一晶片(10)和第二晶片(20)，该第二晶片包括CMOS基板(201)和布置在CMOS基板(201)上的介电层堆叠(204)，该CMOS基板(201)集成有与竖直霍尔元件(100)耦合的CMOS处理电路，并且该第一晶片(10)包括霍尔传感器层(102)，该霍尔传感器层具有沿竖直方向相对并在垂直于竖直方向的水平面中延伸的第一表面(10b)和第二表面(10d)，第一晶片和第二晶片(10，20)通过插入有布置在霍尔传感器层(102)

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169270 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980076570.X 马里奥 ·布拉西尼　

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