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2023-06-14 发布于四川
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一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；沟道图案，在有源图案上，并且包括竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在有源图案中的凹部中；栅电极，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极围绕每个半导体图案的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖栅电极的侧表面，并且具有向半导体图案的开口，其中，源极/漏极图案包括覆盖凹部的内侧的缓冲层，缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且外侧表面和内侧表面中的每一个是朝向栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130629 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010998536.2 H01L 27/092 (2006.01) (22)申请日

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