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一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法.pdfVIP

一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法.pdf

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    本发明涉及一种高通量制备SiBCN用沉积装置及高通量制备SiBCN的方法，所述高通量制备SiBCN用沉积装置包括：坩埚体、用于盖住所述坩埚体的含有多个第一通孔的石墨板、以及设置在石墨板第一通孔中的用于放置基体的顶部设置有法兰的石墨套管；所述坩埚体为空心结构；或者，所述坩埚体为实心结构且实心结构内设置有与石墨板中第一通孔对应的第二通孔。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113135758 B (45)授权公告日 2022.05.10 (21)申请号 202110323660.3 C04B 35/58 (2006.01)

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