全角度陷光绒面及晶硅太阳能电池的制备方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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全角度陷光绒面及晶硅太阳能电池的制备方法.pdf

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本发明揭示了一种全角度陷光绒面及晶硅太阳能电池的制备方法，所述全角度陷光绒面的制备方法包括：S1、采用碱刻蚀制绒工艺，在单晶硅片表面形成正金字塔结构绒面；S2、在制绒后的单晶硅片表面沉积介质层；S3、采用湿法沉积工艺，在介质层表面沉积金属纳米颗粒；S4、采用退火工艺，对金属纳米颗粒进行修饰以形成金属掩膜颗粒；S5、采用等离子体刻蚀工艺，以金属掩膜颗粒作为掩膜，对单晶硅片表面的介质层进行等离子体刻蚀；S6、去除介质层表面残留的金属掩膜颗粒，形成全角度陷光绒面。本发明在具有正金字塔结构绒面的硅片上，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113113500 B (45)授权公告日 2022.07.08 (21)申请号 202110383960.0 H01L 31/18 (2006.01) (22)申请日 2021.04

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