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2023-06-14 发布于四川
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一种晶圆背面金属沉积工艺.pdf

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本发明公开一种晶圆背面金属沉积工艺，包括以下步骤：S1、通过钻石刀轮在晶圆正面对应切割道处开设SAW槽；S2、通过激光加蚀刻在SAW槽底部中间开设窄沟槽；S3、在晶圆正面涂装DryFilm；S4、将晶圆正面键合玻璃载板；S5、翻转玻璃载板，通过研磨蚀刻的方式将晶圆背面减薄至裸露出窄沟槽；S6、制作晶圆背面元件，通过蒸镀或溅镀于减薄后晶圆背面沉积金属镀层，沉积的金属镀层于窄沟槽处自动断开；S7、将完成金属沉积后的晶圆送至后续晶圆制程。本发明通过在晶圆正面开设不同宽度的SAW槽和窄沟槽，使金属

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113298 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110385120.8 (22)申请日 2021.04.09 (71)申请人绍兴

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