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一种半导体结构及其形成方法.pdfVIP

一种半导体结构及其形成方法.pdf

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    本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：半导体衬底；多个第一沟槽，位于所述半导体衬底内，用于形成电容器；多个电容器，分别位于所述第一沟槽中，所述电容器包括多个电极层以及隔离相邻电极层的绝缘层；多个第二沟槽，位于所述半导体衬底内，所述第二沟槽内的填充结构的表面层分别为所述多个电极层中的一个。本申请提供的一种半导体结构及其形成方法中，形成表面层为不同电极层的多个填充结构，再形成接触结构直接连接所述不同电极层，不需要再使用复杂的刻蚀工艺来定义不同的电极层，工

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113130444 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 201911391555.2 (51)Int.Cl.

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