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本发明涉及一种射频阵列薄膜器件及其制备、键合和集成方法,射频阵列薄膜器件包括自下而上依次设置的外延结构、电极层、栅介质层和支撑层;所述电极层为图形化电极层,在所述栅介质层上对应所述电极层上各电极的位置开设有通孔,各通孔内填充为电极材料,各电极从对应通孔中凸出所述栅介质层,所述支撑层覆盖所述栅介质层和各所述电极;所述外延结构包括自下而上依次设置的未掺杂GaN成核层、重掺杂GaN牺牲层和目标层,所述目标层为AlGaN/AlN/GaN异质结。本发明实现整体剥离,有效的解决了刚性衬底热导率低且应用受限等
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130662 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110424077.1
(22)申请日 2021.04.20
(71)申请人 华南师范大学
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