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2023-06-14 发布于四川
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本发明提供一种钽靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)装填并压实钽粉，经过冷等静压处理，得到钽生坯；(2)将步骤(1)所得钽生坯进行第一脱气处理，经过700‑1300℃的第一热等静压处理，得到第一钽坯料；(3)将步骤(2)所得第一钽坯料进行第二脱气处理，经过1300‑1600℃的第二热等静压处理，得到第二钽坯料；(4)将步骤(3)所得第二钽坯料进行机加工，得到钽靶材。本发明提供的方法适用于钽靶材的制备，充分提升了钽靶材的致密度，优化了内部组织结构和机械加工性能，满足了半导体溅射用钽靶

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113136554 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110454955.4 (22)申请日 2021.04.26 (71)申请人宁波江丰电子材料股份有限公司

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