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本发明公开了一种用于Mocvd反应装置的钼罩,包括钼罩本体,钼罩本体安装在Mocvd反应装置的内腔,且钼罩本体的安装高度不低于Mocvd反应装置中加热器水平面,钼罩本体的高度为140‑160mm,钼罩本体的直径为708‑713mm,钼罩本体的底部设置有钼罩拖板,且钼罩本体与钼罩拖板一体成型,钼罩本体的侧壁安装有固定支撑片。本发明取缔了原厂设计的Extender(缓冲环)的结构,避免了缓冲环与工艺腔室保护罩间隙积聚颗粒的问题,提升Mocvd反应装置生产Run数及外延片工艺均匀性,同时解决了固定支撑
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113136563 A
(43)申请公布日
2021.07.20
(21)申请号 20201
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