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一种异质结半导体光电探测器及其制备方法.pdfVIP

一种异质结半导体光电探测器及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种异质结半导体光电探测器及其制备方法，使用不同GeSe堆垛结构来制备光电探测器，该光电探测器包括该光电探测器包括衬底(1)、右电极(2)、双层GeSe‑AD堆垛(3)、双层旋转GeSe‑AB堆垛(4)、左电极(5)；其中衬底(1)为最底层，在其上面附着有双层GeSe‑AD堆垛(3)和位于双层GeSe‑AD堆垛(3)两旁的右电极(2)和左电极(5)，在双层GeSe‑AD堆垛(3)上堆叠着双层旋转GeSe‑AB堆垛(4)。本发明以双层GeSe‑AD堆垛为给体，以双层旋转GeSe‑AB堆

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113140648 B (45)授权公告日 2022.07.19 (21)申请号 202110465001.3 H01L 31/102 (2006.01)

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