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半导体装置.pdfVIP

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    本发明的半导体装置包括第一隔离结构与第二隔离结构；鳍状结构，沿着第一方向纵向延伸并沿着第二方向夹设于第一隔离结构与第二隔离结构之间，且第一方向垂直于第二方向；第一通道组件，位于第一隔离结构上；第二通道组件，位于第二隔离结构上；以及栅极结构，位于第一通道组件与第二通道组件上并包覆第一通道组件与第二通道组件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130623 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110208308.5 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2

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