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一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管.pdfVIP

一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管.pdf

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    本发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管，所述量子点包括：CdXZn1‑XSe量子点核，沿所述CdXZn1‑XSe量子点核径向方向上从内向外，X逐渐减小，其中0＜X＜1；第一外壳，所述第一外壳形成在所述CdXZn1‑XSe量子点核的表面上；第二外壳，所述第二外壳形成在所述第一外壳远离所述CdXZn1‑XSe量子点核一侧的表面上。本发明提供了一种具有梯度合金结构的量子点，其中，CdXZn1‑XSe量子点核是成分梯度变化的合金，CdSe成分在内核占主导，ZnSe成分在外核占主导，由于CdS

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113122231 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 201911417449.7 CN 109020851 A,20

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