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半导体结构及半导体结构的形成方法.pdfVIP

半导体结构及半导体结构的形成方法.pdf

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    一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成漂移区和体区，漂移区和体区相邻，漂移区内具有第一离子，所述体区具有第二离子，所述第一离子和第二离子的导电类型相反；在衬底上形成栅极结构，栅极结构位于漂移区和体区表面，且栅极结构从漂移区表面延伸到体区表面；在漂移区表面形成屏蔽掺杂层，所述屏蔽掺杂层与所述栅极结构相邻；在漂移区内形成漏区，漏区与屏蔽掺杂层相邻，漏区与漂移区的第一离子导电类型相同。所述方法形成的半导体结构性能得到了提升。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140460 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 20201

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