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一种等离子体处理设备(100),包括用于生成等离子体(103)的装置、用于支撑要处理的衬底(101)的处理平台(105)、以及电压波形发生器(10),该电压波形发生器包括电耦合至该处理平台的输出端(19)。该电压波形发生器包括并联布置并耦合至该输出端的多个第一降压转换器(11),这些第一降压转换器包括可主动切换的半导体开关(111)以及控制单元(130),该控制单元被配置为通过脉宽调制信号来操作执行可主动切换的半导体开关。该控制单元被配置为以交错的方式操作该多个第一降压转换器。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113169019 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980071810.7 沃特 ·约翰 ·亨德里克 ·范根尼普
(22)申请日
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