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2023-06-14 发布于四川
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基于铁电材料的半导体掺杂方法.pdf

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本发明公开了一种基于铁电材料的半导体掺杂方法，主要解决现有掺杂方法精度低、均匀性差及对半导体材料有晶格损伤的问题。其实现方案是：1)使用包含不同的铁电元素的气体作为前驱体，利用原子层淀积工艺在半导体衬底上生长一层5‑15nm厚的相应铁电材料；2)使用不同的金属靶材，利用磁控溅射工艺在铁电材料上生长一层50‑100nm的相应金属电极；3)在金属电极上施加正脉冲电压或负脉冲电压，以控制铁电材料的剩余极化电荷，在半导体衬底中诱导出相应的电子或空穴，完成对半导体的掺杂。本发明提高了半导体材料的掺杂精度、

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113140449 B (45)授权公告日 2022.04.08 (21)申请号 202110408852.4 审查员罗晓雅 (22)申请日 2021.04.16

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