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本发明公开了一种利用化学插层辅助液相剥离制备大尺寸超薄二硫化钼纳米片的方法及其制备的产品。本发明方法制备的二硫化钼纳米片为单层或少层，所述纳米片厚度为0.8‑2.5nm，片径尺寸为0.5‑10μm。其制备方法具体步骤如下：①、将二硫化钼粉末与碱金属芘试剂混合，反应0.5‑6h，反应结束后，抽滤，即可得到碱金属离子插层的嵌入化合物。②、立即将上述碱金属离子插层的嵌入化合物分散于溶剂中，超声剥离15‑30min，即可制得所述的大尺寸超薄二硫化钼纳米片。本发明工艺简单，成本低廉，能够实现高质量超薄二硫
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113104892 B
(45)授权公告日 2022.08.23
(21)申请号 202110454336.5 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日 2021.04
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