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本发明公开了一种直拉法单晶炉及其熔体温度梯度控制方法，直拉法单晶炉包括：炉体和设置于所述炉体内部的坩埚、加热组件、测温组件和坩埚驱动组件，所述加热组件套设于所述坩埚外侧，所述测温组件连接于坩埚底端，所述坩埚驱动组件连接于所述测温组件一侧，所述加热组件、测温组件和坩埚驱动组件与控制器电连接。本发明结构简单，保温效果好，热量利用率高，在坩埚底端设置测温组件，对坩埚底端温度进行实时监控，通过控制器根据预设温度对加热组件的功率进行调控，实现坩埚内温度的控制，提高了单晶硅的品质，保证了单晶硅产出的一致性，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113136617 A
(43)申请公布日 2021.07.20
(21)申请号 202110414248.2
(22)申请日 2021.04.16
(71)申请人 曲靖阳光能源硅材料有限公司
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