一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂及其应用方法.pdfVIP

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2023-06-14 发布于四川
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一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂及其应用方法.pdf

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本发明提出了一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂及其应用方法，包括基础液、辅助液和有机硅材料；基础液为碱液，基础液用于碱性刻蚀晶硅片；辅助液按质量百分比包括，1.0‑2.0％硫酸钠、1.0‑2.0％两性表面活性剂和5.0‑10％有机溶剂，余量为水；有机硅材料包括硅烷偶联剂和硅油，有机硅材料作为消泡剂及界面保护剂；将基础液、辅助液和有机硅材料按比例混合均匀后，再将晶硅片置于混合液中进行碱性刻蚀反应，同时搅拌溶液使反应充分；采用碱性抛光技术，低酸的消耗及排放，同时利用有机硅材料和两性表面活性剂协同作用，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113136144 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110289018.8 H01L 31/18 (2006.01) (22)申请日 2

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