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一种氮化硅光纤结构件的制备方法.pdfVIP

一种氮化硅光纤结构件的制备方法.pdf

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    本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种氮化硅光纤结构件的制备方法。本发明提供了一种氮化硅光纤结构件的制备方法，包括以下步骤：将二氧化钛和烧结助剂进行预混合，加入乙醇和氮化硅后进行球磨，得到料浆；将所述料浆依次进行喷雾造粒、压制和烧结，得到所述氮化硅光纤结构件；所述氮化硅光纤结构件为圆环状，单边厚度250mm；所述烧结助剂包括氧化铝和氧化钇。利用所述制备方法制备得到的氮化硅光纤结构件不易变性、不易开裂，且所述制备方法的成品率高，可以实现批量稳定化的生产。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113135760 B (45)授权公告日 2022.03.08 (21)申请号 202110423393.7 C04B 35/64 (2006.01) (22)申请日

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