一种片上硫系材料填充结构的制备方法.pdfVIP

一种片上硫系材料填充结构的制备方法.pdf

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本发明涉及片上微纳光电子器件制备技术领域，更具体地，涉及一种片上硫系材料填充结构的制备方法。通过电子束曝光、深反应离子体反应刻蚀、热蒸镀生长硫系薄膜以及三步去胶流程，实现在片上填充较软的硫系薄膜结构，并与传统的填充结构制备作比较，提供了一种高精度易实现的片上硫系材料填充结构的制备方法。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113113295 B (45)授权公告日 2023.03.28 (21)申请号 202110369274.8 (56)对比文件

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