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半导体结构及其制造方法.pdfVIP

半导体结构及其制造方法.pdf

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    本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：基板，具有器件区域；接触插塞，在所述器件区域上方且能够电性连接到其中的半导体器件；隔离层，设置在所述接触插塞的上方且暴露所述接触插塞；圆柱形导电特征，布置在所述隔离层上方并具有基本上垂直于所述基板表面的侧壁轮廓；和介电层，侧向围绕所述圆柱形导电特征，具有基本上阶梯状的掺杂物浓度分布，包含两种不同的掺杂物，所述掺杂物浓度水平从最靠近所述隔离层的下部区域向远离所述隔离层的上部区域减小；所述不同的掺杂物种类之间的掺杂物间比率从下部区域向上部区域增加

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130385 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 20201

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