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一种半导体器件，可以包括：衬底上的底部子电极；所述底部子电极上的顶部子电极；覆盖所述底部子电极和顶部子电极的介电层；以及所述介电层上的板电极。所述顶部子电极可以包括阶梯，所述阶梯从其与所述底部子电极相邻的侧表面延伸到所述顶部子电极的内部。所述顶部子电极可以包括比所述阶梯低的高度的下部和比所述阶梯高的高度的上部。所述下部的最大宽度可以比所述上部的最小宽度窄。所述下部的所述最大宽度可以比所述底部子电极的顶端的宽度窄。所述底部子电极可以在与所述顶部子电极相邻的区域中包括凹陷。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130748 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202011156646.0
(22)申请日 2020.10.26
(30)优先权数据
10-2019-0
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