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半导体装置.pdfVIP

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    本发明实施例提供一种半导体装置。其包含鳍突出于基底之上；源极/漏极区位于鳍上方；多个纳米片位于源极/漏极区之间；以及栅极结构位于鳍上方和源极/漏极区之间，栅极结构包含:栅极介电材料围绕多个纳米片的每一个；第一衬垫材料围绕栅极介电材料；功函数材料围绕第一衬垫材料；第二衬垫材料围绕功函数材料；以及栅极电极材料围绕第二衬垫材料的至少一部分。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130480 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202011293437.0 H01L 21/8238 (2006.01) (22)申请日

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