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本发明提供一种改善光刻前层薄膜吸附水导致光刻缺陷的优化方法，确定晶圆基底上需喷涂的标准SOC涂层的厚度T；在晶圆基底上喷涂C1喷量的第一SOC涂层；之后对第一SOC涂层进行烘烤，形成的第一SOC涂层的厚度为T1；利用溶剂或含氧等离子体对第一SOC涂层进行表面处理；在第一SOC涂层上喷涂C2喷量的第二SOC涂层；之后对第二SOC涂层进行烘烤，形成的第二SOC涂层的厚度为T2，并且使得T＝T1+T2；在第二SOC涂层上涂布抗反射涂层，之后在抗反射涂层上旋涂光刻胶涂层，并通过掩膜版对光刻胶涂层进行曝光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113126441 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110330177.8
(22)申请日 2021.03.29
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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