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2023-06-14 发布于四川
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GAA晶体管结构及其制备方法、电子设备.pdf

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本发明提供了一种GAA晶体管结构及其制备方法、电子设备，其中的结构包括：晶体管基底、多个器件单元；器件单元包括设于晶体管基底的堆叠层与横跨堆叠层外侧的外金属栅，堆叠层包括交替层叠的多个纳米层与多个金属栅层；多个器件单元包括PMOS器件单元与NMOS器件单元，PMOS器件单元设于衬底的PMOS区，NMOS器件单元设于衬底的NMOS区；沿目标方向，PMOS区上的PMOS器件单元的分布数量多于NMOS区上NMOS器件单元的分布数量，目标方向垂直于纳米层的沟道方向，PMOS器件单元的纳米层中用于载流的表

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113113494 A (43)申请公布日 2021.07.13 (21)申请号 202110381182.1 H01L 29/06 (2006.01)

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