半导体结构及其制造方法.pdfVIP

半导体结构及其制造方法.pdf

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本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构在基材中包含第一元件。半导体结构包含间隙填充层。间隙填充层的第一部分覆盖第一元件。间隙填充层的第一部分具有锥形侧壁。基材的第一部分将间隙填充层的第一部分与第一元件分开。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140581 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202110052251.4 (22)申请日 2021.01.15 (30)优先权数据 16/880,03

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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