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本发明公开了一种半导体器件的制造方法,涉及半导体技术领域,在确保半导体器件中,形成在不同类阈值调控区域的晶体管具有不同阈值电压的情况下,减少各晶体管所包括的沟道区中的缺陷。所述半导体器件的制造方法包括:提供一衬底。衬底具有多类区域。至少在衬底具有的部分类区域内分别开设凹槽,并在位于每类区域的凹槽内形成相应材质的半导体材料层,以使得衬底具有的每类区域分别形成相应类的阈值调控区域。刻蚀衬底和半导体材料层位于各类阈值调控区域内的部分,以在每类阈值调控区域均形成沿第一方向延伸的鳍状结构。基于每一鳍状结构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130485 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110350865.0
(22)申请日 2021.03.31
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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