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本发明为克服薄膜铌酸锂上可见光波段的光端面耦合中难以实现在任意位置进行光耦合的缺陷,提出一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法,其中光栅耦合器中包括由下至上依次连接的硅衬底、埋氧层、铌酸锂薄膜层,其中,铌酸锂薄膜层包括周期性光栅、第一锥形波导、第二锥形波导、第一矩形波导、第二矩形波导;第一锥形波导的最宽端与周期性光栅的一端连接,第一锥形波导的最窄端与第一矩形波导的一端连接;第二锥形波导、第二矩形波导分别设置在第一矩形波导的上方,且第二锥形波导的最窄端与第一锥形波导的最窄端重合,第二锥形波
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113126204 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110397219.X
(22)申请日 2021.04.13
(71)申请人 中山大学
地址 51
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