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非晶硅牺牲膜的制备方法和用于形成非晶硅的组合物.pdfVIP

非晶硅牺牲膜的制备方法和用于形成非晶硅的组合物.pdf

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    本发明提供一种能够形成填充具有高纵横比的沟槽并与基板具有优异亲和性的非晶硅牺牲膜的新颖的非晶硅牺牲膜的制备方法和用于形成非晶硅的组合物。一种非晶硅牺牲膜的制备方法，包括：(i)通过光照射和/或加热包含5个以上硅的环状聚硅烷或包含该环状聚硅烷的组合物使其聚合，以形成具有聚硅烷骨架的聚合物，(ii)将含有具有聚硅烷骨架的聚合物、聚硅氮烷和溶剂的用于形成非晶硅的组合物涂覆至基板上，以形成涂覆膜，以及(iii)在非氧化气氛中，加热所述涂覆膜。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113166424 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980078771.3 (74)专利代理机构 北京三幸商标专利事务所

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