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本公开提出一种定向异质外延方法及硅基锗锡合金材料。该方法包括：S1，在硅衬底上进行刻蚀，形成硅刻蚀窗口；其中，硅衬底的晶向为(100)；S2，对硅刻蚀窗口进行硅的各向异性湿法腐蚀，以形成硅凹槽；S3，对刻蚀后的硅衬底进行清洗和高温脱氧处理；S4，利用分子束外延法在硅凹槽内沉积Sn原子；S5，退火处理，以使Sn团聚成球；S6，沉积Ge原子，在硅凹槽内定向得到锡自催化生长的GeSn微米条。本公开提供一种大晶格失配材料体系外延方法，缩短了传统缓冲层外延的生长周期，有望开发大规模的器件制备和应用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113113512 A
(43)申请公布日 2021.07.13
(21)申请号 202110408385.5
(22)申请日 2021.04.15
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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