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2023-06-14 发布于四川
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集成芯片的制造方法.pdf

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本公开的实施例涉及一种集成芯片的制造方法。此方法包括：在半导体基底的第一部分的上方形成具有第一掺杂类型的外延结构。在外延结构的上方与半导体基底的第一部分的上方，形成半导体基底的第二部分。在半导体基底的第二部分与在外延结构的正上方，形成具有第一掺杂类型的第一掺杂区。在半导体基底的第二部分形成具有第二掺杂类型的第二掺杂区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，第二掺杂区是形成在外延结构之一侧。通过将半导体基底的第二部分选择性地局部移除，形成半导体基底的多个鳍状物。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130400 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110095878.8 (22)申请日 2021.01.25 (30)优先权数据 16/798,68

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