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一种掩膜版、存储单元、SRAM器件，所述掩膜版包括：多个批次的曝光图形；每个批次的所述曝光图形包括多个子图形，所述子图形之间的间隔大于临界距离，以避免后续曝光过程中，子图形间的相互影响。本发明实施例根据掩膜版上各个图形之间的间距，将所述一张掩膜版上的多个图形划分在多个曝光图形中，使得所述曝光图形中的子图形的间距大于临界距离，以避免后续曝光过程中，子图形间的相互影响，使得依据曝光图形形成的目标图形的位置精度较高，且分多次曝光可以得想要的目标图形，避免了制作多张掩膜版，有利于节省成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113138527 A
(43)申请公布日
2021.07.20
(21)申请号 20201
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