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本文描述的实施例提供一种通过交联末端硅烷醇基团来形成具有共价Si‑O‑Si键的含硅和氧层的方法。所述方法包括将基板定位在腔室中。所述基板具有一个或多个沟槽,所述一个或多个沟槽包括10纳米(nm)或更小的宽度及2:1或更大的深宽比。所述深宽比是由所述一个或多个沟槽的深度与宽度之比界定。含硅和氧层配置在所述一个或多个沟槽之上。所述含硅和氧层具有末端硅烷醇基团。将所述基板加热,并且将所述含硅和氧层暴露于遍及工艺空间分布的含氨或胺基的前驱物。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113169039 A
(43)申请公布日 2021.07.23
(21)申请号 201980079269.4 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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