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基于铁电掺杂的PN结存储器件.pdfVIP

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本发明公开了一种基于铁电掺杂的PN结存储器件,主要为解决现有PN结存储器件无法实现不同导电类型切换的问题。其自下而上包括衬底(1)、绝缘氧化层(2)和沟道层(3),该沟道层的两侧为阳极(8)和阴极(9),上部左边为阳极极化栅(4),右边为阴极极化栅(5);该阳极极化栅和阴极极化栅的上部分别为阳极极化电极(6)和阴极极化电极(7),这两个极化电极(6,7)上施加有极性不同的脉冲电压,通过改变正负脉冲施加顺序实现PN结在不同存储状态之间的切换。本发明扩展了PN结存储器件的存储功能,降低了工艺过程中对

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113140675 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110408851.X (56)对比文件 (22)申请日 2021.04.16

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