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保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法.pdfVIP

保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法.pdf

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    本发明中，将保护膜形成用复合片(101)中的背面抗静电层(17)的表面电阻率设为1.0×1011Ω/□以下，将从于70℃加热1分钟后的保护膜形成用复合片(101)中切取的试验片与多孔工作台之间的摩擦力设为20N以下，所述保护膜形成用复合片(101)具备支撑片(10)与形成在支撑片(10)的第一面(10a)上的保护膜形成用膜(13)。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113169059 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 201980080164.0 (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限

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