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本申请涉及一种单晶硅生长控制工艺，其包括S1：单晶炉的炉筒外侧架设磁场装置，向炉筒内部施加磁场；S2：装料；S21：在炉筒内设有同轴对准装置，在炉筒安装石墨坩埚，通过同轴对准装置在石墨坩埚内安装石英坩埚；S22：多晶放入石英坩埚内，棱角靠近石英坩埚；S3：通过同轴对准装置安装并调整籽晶，籽晶与石英坩埚同轴线；S4：抽空和捡漏，抽出炉筒内部的气体，完成抽气后，检测炉筒漏气速率；S5：熔料；S6：引晶、放肩和收尾；S7：停炉；S8：取单晶。本申请具有快速准确地调整石墨坩埚、石英坩埚和籽晶的同轴度，提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113136619 B
(45)授权公告日 2022.05.31
(21)申请号 202110419971.X 审查员 胡晓珊
(22)申请日 2021.04.19
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