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本发明公开了一种紫外LED外延结构,包括衬底、及从下至上依次位于衬底上的低温AlN层、高温AlN层、本征AlGaN层、掺杂硅烷的n型AlGaN层、掺杂硅烷的n掺杂AlGaN/AlN超晶格层、量子阱区‑1、超晶格SL区‑1、量子阱区‑2、超晶格SL区‑2、量子阱区‑3、超晶格SL区‑3、量子阱区‑n、超晶格SL区‑n、p型AlGaN层和掺杂镁的p++型BAlGaN层,通过本发明的设计和生长方法,能够满足现实应用中对于各种紫外波段需求的集成统一,很大程度简化了后续封装步骤,并且提高了芯片的整体可靠性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113140657 B
(45)授权公告日 2022.04.19
(21)申请号 202110523507.5 (56)对比文件
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