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一种可降低饱和压降的IGBT芯片及其制备方法.pdfVIP

一种可降低饱和压降的IGBT芯片及其制备方法.pdf

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    本发明提出了一种可降低饱和压降的IGBT芯片及其制备方法，所述芯片包括一衬底，所述衬底具有相互垂直的A方向和B方向，所述A方向和B方向均为与衬底垂直的晶面，为{110}晶面；所述衬底上形成有沟槽，所述沟槽方向为C方向，所述C方向与所述A方向或B方向呈预定夹角。通过使IGBT芯片的沟槽方向与衬底平边成预定度角，从而使IGBT芯片的沟道在{100}晶面上，提高IGBT芯片导通时沟道的电子迁移率，从而降低IGBT芯片的饱和压降。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130640 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202110416455.1 (22)申请日 2021.04.19 (71)申请人 齐美微纳科技无锡有限公司

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