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本发明公开了一种焦平面红外探测器芯片，包括：接触层，接触层上设置有第一欧姆接触电极和像元阵列；陷光结构阵列，设置在接触层的下面；其中，像元阵列的每一个像元上设置有第二欧姆接触电极，每一个第二欧姆接触电极上设置有铟柱，铟柱与读出电路连接，像元阵列、接触层和第一欧姆接触电极的掺杂类型相同，接触层和第二欧姆接触电极形成PN结。本发明公开的焦平面红外探测器芯片提高样品的吸收率，吸收谱覆盖可见至短波红外波段，提高了探测器芯片的响应波段。本发明还公开了一种焦平面红外探测器芯片的制备方法和一种焦平面红外探测器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113130676 A
(43)申请公布日 2021.07.16
(21)申请号 202110416974.8 G01J 5/22 (2006.01)
(22)申请日 20
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