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具有电阻变化结构的三维非易失性存储器件及其操作方法.pdfVIP

具有电阻变化结构的三维非易失性存储器件及其操作方法.pdf

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    非易失性存储器件包括具有上表面的衬底和设置在该衬底上方的沟道结构。所述沟道结构包括至少一个沟道层图案和至少一个层间绝缘层图案，二者在垂直于所述上表面的第一方向上交替地层叠，并且所述沟道结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述非易失性存储器件包括：电阻变化层，其设置在所述衬底上方并且在所述沟道结构的一个侧壁表面的至少一部分上；栅极绝缘层，其设置在所述衬底上方并且在所述电阻变化层上；以及多个栅极线结构，其设置在所述衬底上方，各自与所述栅极绝缘层的第一表面接触，并且被设置成在第二方向上彼此间隔开。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113130532 A (43)申请公布日 2021.07.16 (21)申请号 202010721299.5 (22)申请日 2020.07.24 (30)优先权数据 10-2019-0

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